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球形硅微粉5大應用領域及指標要求!

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發表時間:2018-10-19 11:21來源:金戈新材料

球形硅微粉,又稱球形石英粉,由于具有高介電、耐熱耐濕耐腐蝕、高填充量、低膨脹、低應力、低雜質、低摩擦系數和低價格等優越性能,廣泛應用于大規模集成電路封裝中覆銅板以及環氧塑封料填料、航空航天、精細化工和日用化妝品等高新技術領域。

1、覆銅板用球形硅微粉

   隨著我國電子信息產業的快速發展,手機、個人電腦等越來越多的電子信息產品的產銷量開始進入世界前列,帶動了我國集成電路市場規模的不斷擴大。

   考慮球形硅微粉較角形硅微粉在性能上的優勢,目前國內主要還是應用在電子封裝領域,主要的作用是:

  •     降低產品應力;

  •     提高導熱系數;

  •    增加產品強度和防腐性能。

       覆銅板(CCL)是現代電子產業發展的基石,作為印制電路板制造中的基礎材料,覆銅板的基本特性和加工性能很大程度上影響著電路板的品質和長期可靠性。

     近年來,在覆銅板的新產品開發和性能改進方面,采用無機填料填充技術已成為一個很重要的研究手段。球形硅微粉因表面積大可以與環氧樹脂之間充分接觸,其分散能力較好,分散在環氧樹脂中相當于增大了與環氧樹脂間的接觸面積,增多了結合點,更有利于提高兩者的相容性。另外,較好的機械性能和電性能,在履銅板領域使用也越來越廣泛。

    目前球形硅微粉主要被用在剛性CCL上,占覆銅板混澆比例的20%~30%;撓性CCL與紙基CCL的使用量相對較小。

   按照我國半導體集成電路與器件的發展規劃,未來4-5年后,我國對球形硅微粉的需求將達到10萬噸以上,目前國內僅用于超大規模集成電路塑封材料的球形硅微粉用量已超3000噸

2、EMC用球形硅微粉

      環氧塑封料(EMC)是封裝電子器件和集成電路最主要的一種熱固性高分子復合材料。封裝環氧塑封料作為封裝主要材料之一,在電子封裝中起著非常關鍵的作用。

    目前95%以上的微電子器件都是環氧塑封器件。常見的環氧塑封料的主要組成為填充料60-90%,環氧樹脂18%以下,固化劑9%以下,添加劑3%左右。現用的無機填料基本上都是二氧化硅微粉,其含量最高達90.5%,具有降低塑封料的熱膨脹系數,增加熱導,降低介電常數,環保、阻燃,減小內應力,防止吸潮,增加塑封料強度,降低封裝料成本等作用。

EMC用球形硅微粉指標要求如下:

      (1)高純度

     高純度是電子產品對材料最基本的要求,在超大規模集成電路中要求更加嚴格,除了常規雜質元素含量要求低外,還要求放射性元素含量盡量低或沒有。

      美國生產的用于超大規模集成電路封裝料的球形硅微粉

  • SiO2含量達99.98%以上;FeAlCaMg等金屬氧化物含量總和小于130×10-6放射性元素含量在0.5×10-6以內;

      日本生產的球形硅微粉:SiO2含量達99.9%;Fe2O3

含量可達8×10-6水淬取液中Na+K+Ca2+Cl-等離子含量分別可達5×10-6以下;放射性U含量達0.1×10-9以下。

(2)超細化及高均勻性

    國外用于超大規模集成電路封裝料的球形硅微粉粒度細、分布范圍窄、均勻性好,美國一般為1-3μm,日本平均粒徑一般為3-8μm,最大粒徑小于24μm。

(3)高球化率及高分散性

    高球化率是保證填充料高流動性、高分散性的前提,球化率高、球形度好才能保證產品的流動性和分散性能好,在環氧塑封料中就能得到充分的分散并能保證最佳填充效果。國外產品球化率一般都能達到98%以上,而國產料球化率一般只能達到90%左右,少數可達到95%。中國已成為世界EMC第二大生產國,出口量也在快速增長,廠商的海外客戶逐漸增多,客戶遍及歐美、東南亞、中國大陸和臺灣等地,改變了世界半導體EMC主要被日本企業壟斷的行業競爭格局,也改變了全球半導體封裝業對中國國產塑封料的認知,球形硅微粉的市場需求量也越來越大。

3、化妝品用球形硅微粉

    球形硅微粉跟普通角形硅微粉相比,因具有更高的流動性及更大的比表面積,使其應用于口紅、粉餅、粉底霜等化妝品中,特點是:

      在粉狀產品如粉餅中能提高流動性和貯存的穩定性從而起到防結塊的作用;

      較小平均粒徑決定其良好的平滑性和流動性;

  •     較大比表面積使其具有更好的吸附性,能吸收汗液、香料、營養物,使化妝品配方更經濟;

  •     粉體的球形狀對皮膚有良好的親和性及觸感。

  •    另外,球形硅微粉易于化妝品其他組分配伍,無毒、無味,且自身為白色,尤其可貴的是其反射紫外線能力強、穩定性好,被紫外線照射后不分解,不變色,也不會與配方中其他組分發生反應,是防曬化妝品配料的良好選擇。

        化妝品用球形硅微粉的特點:

    •      一般要求硅含量達到99.9%;

    •      粒徑0.2-2μm可控;

    •     球形率在95%以上;

    •    低輻射(鈾含量<0.5ppb)

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